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MKP缓冲电容的双面金属化电极和内部串联脉冲的应用。电容从0.047μF到8.0μF。额定电压从700 VDC到3000 VDC。 具有脉冲负载结构;自愈;特别可靠的触点配置;内部串联;极低的损耗因数;负电容随温度变化。 典型应用适用于需要极其可靠触点的高脉冲和高频应用,例如IGBT-应用
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用于具有金属箔电极和金属内部系列连接的高脉冲应用的SNUBBER FKP电容器。电容从0.01μF到3.3μF。额定电压从630 VDC到4000 VDC。 具有高脉冲占空比;自愈;特别可靠的触点配置;内部串联;极低的损耗因数;负电容随温度变化。 典型应用适用于需要极其可靠触点的高脉冲和高频应用,例如IGBT-应用
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